ΣΑΝ ΣΗΜΕΡΑ 04 Ιουνίου 1968, αποδίδεται στον Δρ. Ρόμπερτ Ντέναρντ η ευρεσιτεχνία υπ’αριθ. 3.387.286 για την υλοποίηση της πρώτης δυναμικής μνήμης τυχαίας προσπέλασης (DRAM). Αυτός ο τύπος μνήμης RAM επικράτησε σταδιακά κατά τη δεκαετία του ’70 και παραμένει έως σήμερα, μέσω διαδοχικών εξελίξεων της,

Η τύπου DRAM (Dynamic Random-Access Memory) μνήμη κατασκευάζεται στα εργαστήρια της ΙΒΜ το 1966 και αποτελεί ένα άλμα σε σχέση με τις SRAM (Static RAM) της εποχής, χάρη στην απλότητά της που μεταφράζεται σε μικρότερο μέγεθος chip και περισσότερα δεδομένα.

Πιο συγκεκριμένα στο κύκλωμα της DRAM κάθε bit δεδομένων απαιτεί ένα ζεύγος πυκνωτή-τρανζίστορ για να αποθηκευτεί και το μόνο που χρειάζεται είναι η περιοδική φόρτιση του πυκνωτή για να μη χαθεί η πληροφορία (εξ’ ου και ο χαρακτηρισμός «δυναμική«). Η στατική μνήμη (SRAM) από την άλλη απαιτούσε τέσσερις έως έξι πυκνωτές και τρανζίστορ για κάθε bit δεδομένων.

DRAMmodules (από πάνω προς τα κάτω): 
DIP – 16 pin FPM DRAM
SIP – 30 pin FPM DRAM
SIMM – 30 pin FPM
DRAMSIMM – 72 pin EDO
DRAMDIMM – 168 pin SDRAM
DDR DIMM – 184 pin DDR SDRAM

Βασικότεροι Τύποι DRAM

• AsynchronousDRAM: Ο αρχικός τύποςDRAM. Μη συγχρονισμένη μνήμη, με αυτόνομους ελεγκτές του εσωτερικού χρονισμού με στόχο την μεγαλύτερη δυνατή ταχύτητα προσπέλασής.
• FPM & EDODRAM: Fast Page & Extended Data. Δύο τύποι ασύγχρονηςDRAM με τεχνικές Fast Page για ακόμη ταχύτερη λειτουργία.
• SDRAΜ: Synchronous, συγχρονισμένη με το δίαυλο (bus) του επεξεργαστή.
• RDRAM: Rambus DRAM. ΕξελιγμένηDRAM με ένα επιπλέον κανάλι (Rambus channel) δεδομένων υψηλής ταχύτητας.
• DDR/2/3 SDRAM: Double Data Rate,SDRAM με διπλάσιο μέγεθος εγγραφής/ανάγνωσης δεδομένων σε ένα κύκλο ρολογιού. Τα νεότερα πρότυπα DDR2, DDR3 αντιστοιχούν σε τετραπλάσιο και οκταπλάσιο μέγεθος αντίστοιχα.